TPP65R170M دیتاشیت

TPP65R170M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPP65R170M
حجم فایل 95.644 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت TPP65R170M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPP65R170M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 151W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 38.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.676nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.5pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@10V,10A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه